來源：新浪VR

11月20日，據(jù)韓媒消息，三星將在美國德州奧斯汀新建采用極紫外光（EUV）技術(shù)的半導體工廠，項目總投資規(guī)模約100億美元。三星以及相關(guān)行業(yè)人士近日透露，三星電子將在德州奧斯汀建立晶圓廠，并使用EUV光刻機臺，生產(chǎn)非記憶體半導體與系統(tǒng)LSI產(chǎn)品，投資規(guī)模預估100億美元，月產(chǎn)能約7萬片。

韓國半導體在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈當中占據(jù)重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年（1H20）全球十大半導體銷售排名中，韓國廠商就占了兩個名額，分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。

目前，三星啟動了一個“半導體2030計劃”，希望在2030年之前投資133萬億韓元，約合1160億美元成為全球最大的半導體公司，其中先進邏輯工藝是重點之一，目標就是要追趕上臺積電。在最近的幾代工藝上，三星的量產(chǎn)進度都落后于臺積電，包括10nm、7nm及5nm，不過5nm算是縮短了差距，今年也量產(chǎn)了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。

但三星追趕臺積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因為這一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會使用GAA工藝。