來源：IT之家 

隨著人工智能 ( AI ) 和高性能計算 ( HPC ) 行業(yè)的飛速發(fā)展，對內存帶寬的要求也水漲船高。目前擁有 9.6 GT/s 數(shù)據(jù)傳輸速率的 HBM3E 內存剛剛實現(xiàn)量產(chǎn)，但下一代 HBM4 內存已經(jīng)箭在弦上，預計在兩年內與大家見面。

圖源：AMD

根據(jù) Business Korea 報道，SK 海力士公司副總裁 Chun-hwan Kim 在 SEMICON Korea 2024 大會上表示，他們正計劃于 2026 年之前實現(xiàn) HBM4 的量產(chǎn)，以滿足生成式人工智能快速發(fā)展帶來的巨大需求。生成式人工智能市場預計將以每年 35% 的速度增長，這將推動處理器性能的提升，進而對內存帶寬提出更高的要求。

據(jù) IT 之家了解，目前單顆 HBM3E 內存堆棧能夠提供高達 1.2TB / s 的理論峰值帶寬，如果一個內存子系統(tǒng)包含 6 個堆棧，總帶寬則可達到驚人的 7.2 TB / s。然而，理論值與實際應用之間存在差距。例如，英偉達的 H200 顯卡雖然搭載了 HBM3E 內存，但其提供的帶寬 " 只有 "4.8 TB / s，這可能是出于可靠性和功耗方面的考慮。

為了進一步提升內存帶寬，HBM4 將采用 2048 位接口，理論峰值帶寬可超過 1.5 TB / s。為了控制功耗，HBM4 的數(shù)據(jù)傳輸速率預計保持在 6 GT/s 左右。不過，2048 位接口需要更復雜的布線設計，這將導致 HBM4 的成本高于 HBM3 和 HBM3E。

除了 SK 海力士，三星也在積極研發(fā) HBM4 內存，并同樣計劃于 2026 年量產(chǎn)。值得一提的是，三星還針對特定客戶開發(fā)定制化 HBM 內存解決方案。

三星內存業(yè)務執(zhí)行副總裁 Jaejune Kim 表示："HBM4 目前正在開發(fā)中，預計在 2025 年提供樣品，2026 年實現(xiàn)量產(chǎn)。由于生成式人工智能的需求，定制化 HBM 內存也越來越受歡迎。我們不僅在開發(fā)標準產(chǎn)品，還將與關鍵客戶討論通過添加邏輯芯片為每個客戶定制優(yōu)化性能的 HBM 內存。"